SSD IRDM gen. 2 SATA III 2,5″
SSD IRDM gen. 2 to upgrade dysku Iridium. Dysk gen. 2 oparty jest o sprawdzone i niezawodne rozwiązania – pamięci MLC i kontroler Phison S11. IRDM sprawdzi się zarówno jako pamięć cache jak i główny dysk w komputerach do szerokiego typu zastosowań.
Najważniejsze cechy
- Dostępne pojemności:
120 GB 240 GB
- format 2,5"
- interfejs SATA III (6 Gb/s)
- technologia MLC NAND flash
- 3 lata gwarancji ograniczonej parametrem TBW* z bezpłatnym wsparciem technicznym
Wysokie osiągi
SSD IRDM oferuje solidne parametry, osiągając prędkości transferu sekwencyjnego do 540 MB/s dla odczytu i 520 MB/s dla zapisu. Dzięki wykorzystaniu klasycznego formatu 2,5” z interfejsem SATA III, SSD IRDM sprawdzi się w wielu rozwiązaniach, które nie dysponują szybszymi złączami PCI-e.
Poczuj różnicę
Jeżeli Twój komputer działa wolniej niż byś tego oczekiwał, wymiana dysku HDD na SSD jest najprostszym i najtańszym sposobem aby to zmienić. Dyski SSD są szybsze, ponieważ mają ułatwiony dostęp do danych, więc przyspieszają czas uruchamiania i ładowanie aplikacji. Dyski SSD sprawdzą się zarówno w codziennych zastosowania, jak i w gamingu, gdyż kolejne levele jak i samo otoczenie w grze będą się mniej zacinać, poprzez łatwiejsze, bardziej płynne ładowanie danych.
Wytrzymałe MLC
Konstrukcja SSD IRDM oparta jest o wytrzymałe i wydajne pamięci NAND FLASH w technologii MLC. Są one nawet 10x bardziej wytrzymałe od pamięci w technologii TLC, używanych w standardowych dyskach konsumenckich.
Jakość i gwarancja
SSD IRDM bazuje na wydajnych pamięciach NAND Flash 3D w technologii MLC i kontrolerze Phison S11. Intensywne testy i umiejętny dobór komponentów umożliwił stworzenie wydajnego i wytrzymałego dysku. Jako dowód zastosowania najwyższej jakości komponentów oraz niezwykłej dbałości o szczegóły, dysk IRDM objęty jest 3-letnią gwarancją producenta.
* TBW (z ang. Total Bytes Written) – wytrzymałość dysków SSD, parametr który określa maksymalną ilość danych, jaką można zapisać na nośniku do momentu utraty gwarancji. Parametr TBW jest określony w danych technicznych produktu SSD.
Pojemności
120, 240 GB
Interfejs
SATA III (6 Gb/s). Kompatybilny wstecznie z SATA II oraz I
Format
2,5"
Kości pamięci
MLC NAND flash
Kontroler
Phison S11
IOPS
do 61 000 dla operacji odczytu
do 87 000 dla operacji zapisu
MTBF
2 000 000 godzin
Temperatura pracy
0 - 70°C
Temperatura przechowywania
-45 - 85°C
Wymiary
100 x 69,85 x 7 mm
Wydajność
120 GB | 240 GB | |
---|---|---|
Odczyt danych kompresowalnych (maks.)1 | 540 MB/s | 540 MB/s |
Zapis danych kompresowalnych (maks.)1 | 520 MB/s | 520 MB/s |
Liczba losowych operacji odczytu plików 4K (maks. IOPS)2 | 38 000 | 61 000 |
Liczba losowych operacji zapisu plików 4K (maks. IOPS)2 | 85 000 | 87 000 |
TBW (TB)3 | 90 | 180 |
Dane logistyczne
Produkt | Pojemność | zawiera | P/N | EAN |
---|---|---|---|---|
IRDM GEN.2 120GB | 120 GB | SSD, wkładka dystansująca 2,5 mm | IR-SSDPR-S25A-120 | 5908267922620 |
IRDM GEN.2 240GB | 240 GB | SSD, wkładka dystansująca 2,5 mm | IR-SSDPR-S25A-240 | 5908267922644 |
Pojemności
Pojemność w specyfikacji | Pojemność widoczna w systemie operacyjnym |
---|---|
120 GB | 111,79 GB |
240 GB | 223,57 GB |
GOODRAM zastrzega sobie prawo do wprowadzenia zmian w specyfikacji w każdym momencie, bez wcześniejszej informacji.
Format | Rozmiar | Plik | |
---|---|---|---|
Software | ZIP | 42 MB |
|
Broszura produktowa | 2 MB |
|
|
Instrukcja | 1 MB |
|
|
Zdjęcia | ZIP | 15 MB |
|
Nowy dysk IRDM gen. 2 jest oparty o technologię kości pamięci MLC NAND flash. Dysk Iridium, już niedostępny w ofercie bazował na technologii TLC.
Oba dyski bazują na komponentach MLC, dzięki czemu charakteryzują się szybkością i wytrzymałością. Podstawowa różnica pomiędzy nimi to wbudowana pamięć DRAM w dysku IRDM Pro. Jest on przeznaczony do zastosowań profesjonalnych, IRDM zaś to rozwiązanie dostosowane do codziennych potrzeb.
Najczęściej zadawane pytania w tej kategorii
IRDM gen. 2 najlepszy!
Ponad rok! Tyle trwało testowanie wytrzymałości dysków najbardziej znanych marek w Polsce. Jako ostatni padł IRDM gen. 2, deklasując tym samym konkurencję.