DRAM DDR3 / DDR4 RDIMM

Pamięć RDIMM (Registered DIMM albo ECC REG) to moduł pamięci, który oprócz mechanizmu ECC posiada dodatkowo wbudowany rejestr. Służy on do wzmacniania sygnałów na magistrali systemowej między modułem RAM a kontrolerem pamięci.

Najważniejsze cechy
  • Dostępne pojemności:
    DDR3: 4, 8, 16, 32 GB DDR4: 4, 8, 16, 32, 64 GB
  • format DIMM
  • Kości pamięci Major-grade
  • napięcie zasilania
    DDR3: 1,5 V oraz 1,35 V
    DDR4: 1,2 V
  • częstotliwość
    DDR3: 1333, 1600, 1866 MHz
    DDR4: 1066, 2133, 2400, 2666 MHz
  • dożywotnia gwarancja + wsparcie techniczne
Większa niezawodność i stabilność działania także w trybie 24/7
Oszczędność finansowa utrzymania serwerów i centrum danych oraz ich wyposażenia
Ograniczenie zużycia energii nawet o 20%
Zwiększenie wydajności pracy stacji roboczych

Pamięci rejestrowane

Funkcja rejestru pozwala na stabilną pracę systemu z większą ilością modułów, niż jest to zwykle stosowane. Pamięci RDIMM od standardowych różnią się budową. Są one zaprojektowane do działania w systemach, gdzie ilość i stabilność działania jest kluczowym elementem. W większości przypadków pamięci ECC i ECC REG mogą być wykorzystywane w jednej platformie, ale nie mogą działać równocześnie.

Stabilność pracy

Architektura modułów RDIMM różni się od standardowej w pamięciach komputera. Jest to ściśle związane z ich przeznaczeniem dla systemów, w których kluczowym elementem jest ilość pamięci i jej stabilność. Większość platform jest kompatybilna zarówno z pamięciami ECC, jak i REG ECC, chociaż tych dwóch typów pamięci nie można stosować razem.

Więcej pojemności

Komputery obsługują większe wolumeny pamięci RDIMM niż pamięci ECC UDIMM.

Pojemności

DDR3: 4 GB, 8 GB, 16 GB, 32 GB
DDR4: 4 GB, 8 GB, 16 GB, 32 GB, 64 GB

Rodzaj pamięci

DDR3/DDR4 RDIMM

Częstotliwość

DDR3: 1066 MHz, 1333 MHz, 1600 MHz, 1866 MHz
DDR4: 2133 MHz, 2400 MHz, 2666 MHz

Napięcie

DDR3: 1,5 V
DDR3: 1,35 V
DDR4: 1,2 V

Opóźnienia

CL7, CL9, CL11, CL13, CL15, CL17, CL19

Specyfikacja DDR3 RDIMM

ProduktNapięciePojemnośćOrganizacja kościTypZegar
W-MEM1333R3D84G1,5 V4 GB256x8DDR3 ECC REG1333 MHz
W-MEM1333R3D84GLV1,35 V4 GB256x8DDR3 ECC REG1333 MHz
W-MEM1333R3D88G1,5 V8 GB512x8DDR3 ECC REG1333 MHz
W-MEM1333R3D88GLV1,35 V8 GB512×8DDR3 ECC REG1333 MHz
W-MEM1333R3S48G1,5 V8 GB1024×4DDR3 ECC REG1333 MHz
W-MEM1333R3S48GLV1,35 V8 GB1024×4DDR3 ECC REG1333 MHz
W-MEM1333R3D48G1,5 V8 GB512×4DDR3 ECC REG1333 MHz
W-MEM1333R3D48GLV1,35 V8 GB512×4DDR3 ECC REG1333 MHz
W-MEM1333R3D416G1,5 V16 GB1024x4DDR3 ECC REG1333 MHz
W-MEM1333R3D416GLV1,35 V16 GB1024x4DDR3 ECC REG1333 MHz
W-MEM1333R3Q432G1,5 V16 GB1024x4DDR3 ECC REG1333 MHz
W-MEM1333R3Q432GLV1,35 V16 GB1024x4DDR3 ECC REG1333 MHz
W-MEM1600R3D84G1,5 V4 GB256×8DDR3 ECC REG1600 MHz
W-MEM1600R3D84GLV1,35 V4 GB256×8DDR3 ECC REG1600 MHz
W-MEM1600R3D44G1,5 V4 GB256×4DDR3 ECC REG1600 MHz
W-MEM1600R3D44GLV1,35 V4 GB256×4DDR3 ECC REG1600 MHz
W-MEM1600R3S48G1,5 V8 GB1024×4DDR3 ECC REG1600 MHz
W-MEM1600R3S48GLV1,35 V8 GB1024×4DDR3 ECC REG1600 MHz
W-MEM1600R3D48G1,5 V8 GB512x4DDR3 ECC REG1600 MHz
W-MEM1600R3D48GLV1,35 V8 GB512x4DDR3 ECC REG1600 MHz
W-MEM1600R3D416G1,5 V16 GB1024x4DDR3 ECC REG1600 MHz
W-MEM1600R3D416GLV1,35 V16 GB1024x4DDR3 ECC REG1600 MHz
W-MEM1600R3Q432G1,5 V32 GB1024x4DDR3 ECC REG1600 MHz
W-MEM1600R3Q432GLV1,35 V32 GB1024x4DDR3 ECC REG1600 MHz
W-MEM1866R3S48G1,5 V8 GB1024x4DDR3 ECC REG1866 MHz
W-MEM1866R3D88G1,5 V8 GB512x8DDR3 ECC REG1866 MHz

GOODRAM zastrzega sobie prawo do wprowadzenia zmian w specyfikacji w każdym momencie, bez wcześniejszej informacji.

Specyfikacja DDR4 RDIMM

ProduktNapięciePojemnośćOrganizacja kościTypZegarInformacje dodatkowe
W-MEM2133R4S84G1,2 V4 GB512x8DDR4 ECC REG2133 MHz
W-MEM2133R4S88G1,2 V8 GB1024x8DDR4 ECC REG2133 MHz
W-MEM2133R4D88G1,2 V8 GB512x8DDR4 ECC REG2133 MHz
W-MEM2133R4D416G1,2 V16 GB1024x4DDR4 ECC REG2133 MHz
W-MEM2133R4D816G1,2 V16 GB1024x8DDR4 ECC REG2133 MHz
W-MEM2133R4D432G1,2 V32 GB2048x8DDR4 ECC REG2133 MHz
W-MEM2133R4Q432G1,2 V32 GB1024x4DDR4 ECC REG2133 MHz
W-MEM2133R4Q464G1,2 V64 GB2048x4DDR4 ECC REG2133 MHz
W-MEM2400R4S84G1,2 V4 GB512x8DDR4 ECC REG2400 MHz
W-MEM2400R4S48G1,2 V8 GB1024x4DDR4 ECC REG2400 MHz
W-MEM2400R4S88G1,2 V8 GB1024x8DDR4 ECC REG2400 MHz
W-MEM2400R4D88G1,2 V8 GB512x8DDR4 ECC REG2400 MHz
W-MEM2400R4D416G1,2 V16 GB1024x4DDR4 ECC REG2400 MHz
W-MEM2400R4D816G1,2 V16 GB1024x8DDR4 ECC REG2400 MHz
W-MEM2400R4D432G1,2 V32 GB2048x4DDR4 ECC REG2400 MHzKompatyblilne z Cisco B200 M4
W-MEM2400R4Q432G1,2 V32 GB1024x4DDR4 ECC REG2400 MHz
W-MEM2400R4Q464G1,2 V64 GB2048x4DDR4 ECC REG2400 MHz
W-MEM2666R4S88G1,2 V8 GB1024x8DDR4 ECC REG2666 MHz
W-MEM2666R4D88G1,2 V8 GB512x8DDR4 ECC REG2666 MHz
W-MEM2666R4D416G1,2 V16 GB1024x4DDR4 ECC REG2666 MHz
W-MEM2666R4D816G1,2 V16 GB1024x8DDR4 ECC REG2666 MHz
W-MEM2666R4D432G1,2 V32 GB2048x4DDR4 ECC REG2666 MHz
W-MEM2666R4Q432G1,2 V32 GB1024x4DDR4 ECC REG2666 MHz
W-MEM2666R4Q464G1,2 V64 GB2048x4DDR4 ECC REG2666 MHz
W-MEM2933R4D432G1,2 V32 GB2048X4DDR4 ECC REG2933MHzKompatybilne z Cisco C240 M5L

GOODRAM zastrzega sobie prawo do wprowadzenia zmian w specyfikacji w każdym momencie, bez wcześniejszej informacji.

 

Klauzula zrzeczenia się odpowiedzialności

Strona internetowa  www.goodram.com i newsletter mają na celu dostarczanie informacji na temat Wilk Elektronik SA oraz naszych produktów i usług.
Dokładamy wszelkich starań, aby ww. informacje były aktualne, dokładne i kompletne.
Informacje te są prezentowane jako ogólna informacja handlowa i nie stanowią oferty w rozumieniu art. 66 Kodeksu cywilnego.
Wilk Elektronik SA nie ponosi odpowiedzialności za ewentualne błędy, pomyłki lub nieścisłości w zakresie powyższych informacji.
Wobec powyższego wykluczone jest wnoszenie roszczeń o szkody czy straty wynikłe bezpośrednio lub pośrednio z tytułu korzystania z naszej strony internetowej lub newslettera oraz zamieszczonych tam informacji.
Zastrzegamy sobie prawo do zmiany, w dowolnym czasie, zawartości naszych stron internetowych.

Nasza strona internetowa może zawierać linki do zewnętrznych stron internetowych podmiotów trzecich, na których treści nie mamy żadnego wpływu.
W związku z tym nie możemy wziąć odpowiedzialności za ich zawartość.
Za treści podlinkowanych stron zawsze odpowiada dany dostawca lub operator strony. Strony te zostały sprawdzone pod kątem ewentualnej niezgodności z prawem, w momencie ich podlinkowania. Jeżeli dowiemy się o przypadkach naruszenia prawa, niezwłocznie usuniemy odnośne linki.
Należy również pamiętać, że po opuszczeniu naszej strony internetowej, inne strony mogą mieć inną politykę prywatności i warunki, które są poza naszą kontrolą. Prosimy o zapoznanie się z Polityką Prywatności tych stron, jak również z ich „Warunkami Korzystania z Usług” przed podjęciem jakiejkolwiek działalności lub zamieszczeniem jakichkolwiek informacji.

Nowoczesna linia produkcyjna SMT,
MAGAZYN oraz dział badań i rozwoju
zlokalizowane w fabryce w Polsce

Wdrożone procedury kontroli wizualnej AOI/SPI gotowego produktu oraz testowania aplikacyjnego typu Burn-in, w tym proces akceleracji termicznej

Indywidualny dobór komponentów, produkcja
i proces walidacji pamięci RAM dostępne
na zapytanie klienta