DRAM DDR3 / DDR4 LRDIMM

Moduł LRDIMM (Load Reduced DIMM) to typ pamięci, który jest rozwinięciem modułów FBDIMM. Co więcej, pamięci LRDIMM/RDIMM mogą być wykorzystywane w tych samych platformach. Oprócz rejestru pamięć LRDIMM posiada także bufory danych, za których pośrednictwem odbywa się transfer danych. Sterowanie zaś realizowane jest przez rejestr.

Najważniejsze cechy
  • Dostępne pojemności:
    DDR3: 32 GB DDR4: 32, 64 GB
  • format DIMM
  • Kości pamięci Major-grade
  • napięcie zasilania
    DDR3: 1,5 V oraz 1,35 V
    DDR4: 1,2 V
  • częstotliwość
    DDR3: 1066, 1333, 1600, 1866 MHz
    DDR4: 2133, 2400, 2666 MHz
  • dożywotnia gwarancja + wsparcie techniczne
Większa niezawodność i stabilność działania także w trybie 24/7
Oszczędność finansowa utrzymania serwerów i centrum danych oraz ich wyposażenia
Ograniczenie zużycia energii nawet o 20%
Zwiększenie wydajności pracy stacji roboczych

Praca z wyższą częstotliwością

Obecnie dostępne są większe pojemności pamięci LRDIMM (do 64 GB) niż RDIMM (do 32 GB), a przy pełnym obciążeniu urządzenia pamięci LRDIMM mogą pracować z wyższą częstotliwością niż RDIMM. Przykładowo w przypadku płyty dwuprocesorowej możliwe jest wykorzystanie aż 384 GB pamięci LRDIMM i jedynie 192 GB pamięci DIMM.

Pojemności

DDR3: 32 GB
DDR4: 32 GB, 64 GB

Rodzaj pamięci

DDR3/DDR4 LRDIMM

Częstotliwość

DDR3: 1066 MHz, 1333 MHz, 1600 MHz, 1866 MHz
DDR4: 2133 MHz, 2400 MHz, 2666 MHz

Napięcie

DDR3: 1,5 V
DDR3: 1,35 V
DDR4: 1,2 V

Opóźnienia

CL7, CL9, CL11, CL13, CL15, CL17, CL19

Specyfikacja DDR3 LRDIMM

ProduktNapięciePojemnośćOrganizacja kościTypZegar
W-MEM1600LR3Q432GLV1,35 V32 GB512x8DDR3 LRDIMM1333 MHz
W-MEM1600LR3Q432GLV1,35 V32 GB512x8DDR3 LRDIMM1600 MHz
W-MEM1866LR3Q432G1,5 V32 GB512x8DDR3 LRDIMM1866 MHz

GOODRAM zastrzega sobie prawo do wprowadzenia zmian w specyfikacji w każdym momencie, bez wcześniejszej informacji.

Specyfikacja DDR4 LRDIMM

ProduktNapięciePojemnośćOrganizacja kościTypZegarInformacje dodatkowe
W-MEM2133LR4D432G1,2 V32 GB1024x8DDR4 LRDIMM2133 MHz
W-MEM2133LR4Q432G1,2 V32 GB512x8DDR4 LRDIMM2133 MHz
W-MEM2133LR4Q464G1,2 V64 GB1024x8DDR4 LRDIMM2133 MHz
W-MEM2400LR4D432G1,2 V32 GB1024x8DDR4 LRDIMM2400 MHz
W-MEM2400LR4Q432G1,2 V32 GB512x8DDR4 LRDIMM2400 MHz
W-MEM2400LR4Q464G1,2 V64 GB1024x8DDR4 LRDIMM2400 MHzKompatybilny z Cisco B200 M4
W-MEM2666LR4D432G1,2 V32 GB1024x8DDR4 LRDIMM2666 MHz
W-MEM2666LR4Q432G1,2 V32 GB512x8DDR4 LRDIMM2666 MHz
W-MEM2666LR4Q464G1,2 V32 GB1024x8DDR4 LRDIMM2666 MHz

GOODRAM zastrzega sobie prawo do wprowadzenia zmian w specyfikacji w każdym momencie, bez wcześniejszej informacji.

 

Klauzula zrzeczenia się odpowiedzialności

Strona internetowa  www.goodram.com i newsletter mają na celu dostarczanie informacji na temat Wilk Elektronik SA oraz naszych produktów i usług.
Dokładamy wszelkich starań, aby ww. informacje były aktualne, dokładne i kompletne.
Informacje te są prezentowane jako ogólna informacja handlowa i nie stanowią oferty w rozumieniu art. 66 Kodeksu cywilnego.
Wilk Elektronik SA nie ponosi odpowiedzialności za ewentualne błędy, pomyłki lub nieścisłości w zakresie powyższych informacji.
Wobec powyższego wykluczone jest wnoszenie roszczeń o szkody czy straty wynikłe bezpośrednio lub pośrednio z tytułu korzystania z naszej strony internetowej lub newslettera oraz zamieszczonych tam informacji.
Zastrzegamy sobie prawo do zmiany, w dowolnym czasie, zawartości naszych stron internetowych.

Nasza strona internetowa może zawierać linki do zewnętrznych stron internetowych podmiotów trzecich, na których treści nie mamy żadnego wpływu.
W związku z tym nie możemy wziąć odpowiedzialności za ich zawartość.
Za treści podlinkowanych stron zawsze odpowiada dany dostawca lub operator strony. Strony te zostały sprawdzone pod kątem ewentualnej niezgodności z prawem, w momencie ich podlinkowania. Jeżeli dowiemy się o przypadkach naruszenia prawa, niezwłocznie usuniemy odnośne linki.
Należy również pamiętać, że po opuszczeniu naszej strony internetowej, inne strony mogą mieć inną politykę prywatności i warunki, które są poza naszą kontrolą. Prosimy o zapoznanie się z Polityką Prywatności tych stron, jak również z ich „Warunkami Korzystania z Usług” przed podjęciem jakiejkolwiek działalności lub zamieszczeniem jakichkolwiek informacji.

Nowoczesna linia produkcyjna SMT,
MAGAZYN oraz dział badań i rozwoju
zlokalizowane w fabryce w Polsce

Wdrożone procedury kontroli wizualnej AOI/SPI gotowego produktu oraz testowania aplikacyjnego typu Burn-in, w tym proces akceleracji termicznej

Indywidualny dobór komponentów, produkcja
i proces walidacji pamięci RAM dostępne
na zapytanie klienta