DRAM DDR3 / DDR4 ECC

La stabilità del sistema e la sicurezza del lavoro che dà l’uso di una memorie che utilizzano la tecnologia ECC, hanno un significato particolare nella costruzione dei computer del gruppo Workstation e dei server, in cui la stabilità di funzionamento è uno dei principali elementi. I moduli possono essere usati anche nel settore industriale.

Principali caratteristiche
  • Capacità disponibili:
    DDR3: 4, 8 GB DDR4: 4, 8, 16 GB
  • formato DIMM
  • tensione di alimentazione
    DDR3: 1,5 V e 1,35 V
    DDR4: 1,2 V
  • frequenza
    DDR3: 1333, 1600 MHz
    DDR4: 2133, 2400, 2666 MHz
  • garanzia a vita + assistenza tecnica

Funzione ECC

Durante il processo di scambio delle informazioni, la RAM è esposta agli errori dovuti all’interferenza del funzionamento che può causare la perdita dei dati o l’instabilità del sistema. Un altro mezzo di sicurezza, cioè la funzione Error Correction Code (ECC) è stata introdotta per rilevare ed eliminare gli errori. La funzione ECC non influisce sugli altri parametri del modulo.

Lavoro stabile dei moduli

La funzione di correzione dei dati non è riservata solo alle soluzioni dei server e funziona anche in caso di schede madri standard con chipset AMD. Gli altri vantaggi della memoria sono stabilità del lavoro, meccanismo di monitoraggio dati e grazie alle celle selezionate – la massima qualità di esecuzione.

Qualità delle memorie server

Gli altri vantaggi delle memorie ECC sono: lavoro stabile, meccanismo di monitoraggio dati e grazie all’uso del metodo dell’accurata selezione delle celle di memoria – la massima qualità di esecuzione e di funzionamento.

Capacità

DDR3: 4, 8 GB
DDR4: 4, 8, 16 GB

Tipo di memoria

DDR3 / DDR4 ECC

Frequenza

DDR3: 1333, 1600 MHz
DDR4: 2133, 2400, 2666 MHz

Tensione

DDR3: 1,5 V
DDR3: 1,35 V
DDR4: 1,2 V

Ritardi

CL7, CL9, CL11, CL13, CL15, CL17, CL19

Specificazione DDR3 ECC

ProdottoTensioneCapacitàOrganizzazione delle celleTipoOrologio
W-MEM1333E3D84G1,5 V4 GB256×8DDR3 ECC1333 MHz
LV W-MEM1333E3D84GLV1,35 V4 GB256×8DDR3 ECC1333 MHz
VLP W-MEM13E3D84G VLP1,5 V4 GB256×8DDR3 ECC1333 MHz
LV VLP W-MEM13E3D84GLV VLP1,35 V4 GB256×8DDR3 ECC1333 MHz
W-MEM1333E3D88G1,5 V8 GB512x8DDR3 ECC1333 MHz
LV W-MEM1333E3D88GLV 1,35 V8 GB512x8DDR3 ECC1333 MHz
VLP W-MEM13E3D88G VLP1,5 V8 GB512x8DDR3 ECC1333 MHz
LV VLP W-MEM13E3D88GLV VLP1,35 V8 GB512x8DDR3 ECC1333 MHz
W-MEM1600E3D84G1,5 V4 GB256×8DDR3 ECC1600 MHz
LV W-MEM1600E3D84GLV 1,35 V4 GB256×8DDR3 ECC1600 MHz
VLP W-MEM16E3D84G VLP1,5 V4 GB256×8DDR3 ECC1600 MHz
LV VLP W-MEM16E3D84GLV VLP1,35 V4 GB256×8DDR3 ECC1600 MHz
SO-DIMM LV W-MEM1600SE3D84GLV SO-DIMM1,35 V4 GB256×8DDR3 ECC1600 MHz
W-MEM1600E3D88G1,5 V8 GB512×8DDR3 ECC1600 MHz
LV W-MEM1600E3D88GLV1,35 V8 GB512×8DDR3 ECC1600 MHz
VLP W-MEM16E3D88G VLP1,5 V8 GB512×8DDR3 ECC1600 MHz
LV VLP W-MEM16E3D88GLV VLP1,35 V8 GB512×8DDR3 ECC1600 MHz
SO-DIMM LV W-MEM1600SE3D88GLV SO-DIMM1,35 V8 GB512×8DDR3 ECC1600 MHz

GOODRAM si riserva il diritto di apportare modifiche nella specificazione in qualsiasi momento, senza previa comunicazione.

Specificazione DDR4 ECC

ProdottoTensioneCapacitàOrganizzazione delle celleTipoOrologio
W-MEM2133E4S84G 1,2 V4 GB512×8DDR4 ECC2133 MHz
W-MEM2133E4S88G 1,2 V8 GB1024×8DDR4 ECC2133 MHz
W-MEM2133E4D88G 1,2 V8 GB512×8DDR4 ECC2133 MHz
W-MEM2133E4D816G1,2 V16 GB1024×8DDR4 ECC2133 MHz
W-MEM2400E4S84G 1,2 V4 GB512×8DDR4 ECC2400 MHz
W-MEM2400E4S88G 1,2 V8 GB1024×8DDR4 ECC2400 MHz
W-MEM2400E4D88G 1,2 V8 GB512×8DDR4 ECC2400 MHz
W-MEM2400E4D816G1,2 V16 GB512×8DDR4 ECC2400 MHz
W-MEM2666E4S88G 1,2 V8 GB1024×8DDR4 ECC2666 MHz
W-MEM2666E4D88G1,2 V8 GB512×8DDR4 ECC2666 MHz
W-MEM2666E4D816G1,2 V16 GB512×8DDR4 ECC2666 MHz

GOODRAM si riserva il diritto di apportare modifiche nella specificazione in qualsiasi momento, senza previa comunicazione.