DRAM DDR3 / DDR4 ECC

Stabilität des System und Sicherheit der Arbeit, welche die Anwendung eines Speichers mit der Technologie ECC bietet, hat eine besondere Bedeutung im Bau der Computer aus der Gruppe Workstation und Server, in denen die Arbeitsstabilität eines der Schlüsselelemente ist. Die Module können auch eine Industrie-Anwendung haben.

Die wichtigsten
Eigenschaften
  • Erhältliche Volumen:
    DDR3: 4, 8 GB DDR4: 4, 8, 16 GB
  • Format DIMM
  • Versorgungsspannung
    DDR3: 1,5 V und 1,35 V
    DDR4: 1,2 V
  • Frequenz
    DDR3: 1333, 1600 MHz
    DDR4: 2133, 2400, 2666 MHz
  • Lebenslange Garantie + technische Unterstützung

ECC-Funktion

Beim Verfahren des Informationsaustauschs, ist RAM den durch Interferenz bei der Arbeit verursachten Fehlern ausgesetzt, was dazu führen kann, dass Daten verloren gehen oder das System instabil werden kann. Eine zusätzliche Sicherheitsmaßnahme, also die Funktion Error Correction Code (ECC) wurde eingeführt, um Fehler aufzudecken und zu eliminieren. Die Funktion ECC hat keinen Einfluss auf sonstige Modulparameter.

Stabile Arbeit der Module

Die Funktion der Datenkorrektur ist nicht ausschließlich den Serverlösungen vorbehalten und bewährt sich auch im Fall der Standard-Hauptfestplatten mit AMD-Chipset. Zusätzliche Vorteile sind: Stabilität der Arbeit, Mechanismus der Daten-Überwachung und dank selektionierten Chips – die höchste Ausführungsqualität.

Qualität der Serverspeicher

Zu anderen Vorteilen des Speichers ECC gehören: stabile Arbeit, Mechanismus der Datenüberwachung und dank Anwendung der Methode der sorgfältigen Selektion der Speicherchips – die höchste Qualität der Ausführung und der Arbeit.

Kapazitäten

DDR3: 4, 8 GB
DDR4: 4, 8, 16 GB

Speicherart

DDR3 / DDR4 ECC

Frequenz

DDR3: 1333, 1600 MHz
DDR4: 2133, 2400, 2666 MHz

Spannung

DDR3: 1,5 V
DDR3: 1,35 V
DDR4: 1,2 V

Verzüge

CL7, CL9, CL11, CL13, CL15, CL17, CL19

Spezifikation DDR3 ECC

ProduktSpannungKapazitätChipsorganisationTypUhr
W-MEM1333E3D84G1,5 V4 GB256×8DDR3 ECC1333 MHz
LV W-MEM1333E3D84GLV1,35 V4 GB256×8DDR3 ECC1333 MHz
VLP W-MEM13E3D84G VLP1,5 V4 GB256×8DDR3 ECC1333 MHz
LV VLP W-MEM13E3D84GLV VLP1,35 V4 GB256×8DDR3 ECC1333 MHz
W-MEM1333E3D88G1,5 V8 GB512x8DDR3 ECC1333 MHz
LV W-MEM1333E3D88GLV 1,35 V8 GB512x8DDR3 ECC1333 MHz
VLP W-MEM13E3D88G VLP1,5 V8 GB512x8DDR3 ECC1333 MHz
LV VLP W-MEM13E3D88GLV VLP1,35 V8 GB512x8DDR3 ECC1333 MHz
W-MEM1600E3D84G1,5 V4 GB256×8DDR3 ECC1600 MHz
LV W-MEM1600E3D84GLV 1,35 V4 GB256×8DDR3 ECC1600 MHz
VLP W-MEM16E3D84G VLP1,5 V4 GB256×8DDR3 ECC1600 MHz
LV VLP W-MEM16E3D84GLV VLP1,35 V4 GB256×8DDR3 ECC1600 MHz
SO-DIMM LV W-MEM1600SE3D84GLV SO-DIMM1,35 V4 GB256×8DDR3 ECC1600 MHz
W-MEM1600E3D88G1,5 V8 GB512×8DDR3 ECC1600 MHz
LV W-MEM1600E3D88GLV1,35 V8 GB512×8DDR3 ECC1600 MHz
VLP W-MEM16E3D88G VLP1,5 V8 GB512×8DDR3 ECC1600 MHz
LV VLP W-MEM16E3D88GLV VLP1,35 V8 GB512×8DDR3 ECC1600 MHz
SO-DIMM LV W-MEM1600SE3D88GLV SO-DIMM1,35 V8 GB512×8DDR3 ECC1600 MHz

GOODRAM behält sich das Recht vor, jederzeit, ohne vorherige Ankündigung Änderungen in der Spezifikation einzuführen.

Spezifikation DDR4 ECC

ProduktSpannungKapazitätChipsorganisationTypUhr
W-MEM2133E4S84G 1,2 V4 GB512×8DDR4 ECC2133 MHz
W-MEM2133E4S88G 1,2 V8 GB1024×8DDR4 ECC2133 MHz
W-MEM2133E4D88G 1,2 V8 GB512×8DDR4 ECC2133 MHz
W-MEM2133E4D816G1,2 V16 GBt1024×8DDR4 ECC2133 MHz
W-MEM2400E4S84G 1,2 V4 GB512×8DDR4 ECC2400 MHz
W-MEM2400E4S88G 1,2 V8 GB1024×8DDR4 ECC2400 MHz
W-MEM2400E4D88G 1,2 V8 GB512×8DDR4 ECC2400 MHz
W-MEM2400E4D816G1,2 V16 GB512×8DDR4 ECC2400 MHz
W-MEM2666E4S88G 1,2 V8 GB1024×8DDR4 ECC2666 MHz
W-MEM2666E4D88G1,2 V8 GB512×8DDR4 ECC2666 MHz
W-MEM2666E4D816G1,2 V16 GB512×8DDR4 ECC2666 MHz

GOODRAM behält sich das Recht vor, jederzeit, ohne vorherige Ankündigung Änderungen in der Spezifikation einzuführen.