Память Flash и компоненты

Память Flash

Память Flash — это тип памяти, которая позволяет хранение или удаление данных в процессе выполнения одной операции программирования. Это энергонезависимая память, которая при отключении питания не теряет хранящихся в ней данных.

Создателем памяти Flash является японская компания Toshiba. Это инновационное решение было разработано специально созданной группой специалистов под руководством доктора Фудзио Масуока в 1984 году.

Есть два типа памяти:

  • flash-память типа NOR
  • flash-память типа NAND

Флэш-память типа NOR обеспечивает прямой доступ к каждой ячейке памяти, но имеет относительно большое время записи и удаления. Ее основное назначение заключается в хранении данных, которые не требуют частого обновления. Память NOR имеет от 10 до 100 тыс. циклов программирования. Эта память нашла применение в первых картах памяти CompactFlash. Позже она была заменена более дешевой флэш-памятью типа NAND.

Характеристики памяти NOR:

  • напряжение питания 1,7 — 5 В*
  • интерфейс: синхронный или параллельный*
  • время доступа: ≥45 нс*
  • емкость до 2 Гб*
  • диапазон рабочих температур: -40C ÷ +105 C*
  • ширина шины данных: 1/8/16 бит*
  • тип корпуса: TSOP, BGA, TBGA*
  • В зависимости от типа памяти

*Zależne od typu pamięci

Флэш-память NAND имеет гораздо меньше время записи и удаления, а также более высокую плотность упаковки данных по сравнению с памятью типа NOR. Она характеризуется более выгодным соотношением стоимости к емкости и в десять раз большей прочностью. Наиболее важной особенностью памяти NAND является последовательный доступ к данным. Первой картой памяти на основе флэш-памяти типа NAND была карта Smart Media. Позже они стали использоваться их в других типах карт памяти, таких как Secure Digital, Memory Stick и XD Picture Card. Память NAND также используется в USB- памяти.

Характеристики памяти NAND:

  • flash-память типа NOR
  • flash-память типа NAND
  • напряжение питания 1.8, 3,3 В*
  • типы: SLC, MLC, TLC
  • интерфейс: параллельный асинхронный/синхронный, по специальному заказу — последовательный*
  • ширина шины данных: 1/8/16 бит*
  • емкость до 1 Тб*
  • тип корпуса: TSOP, BGA, TBGA*
  • диапазон рабочих температур: -40C ÷ +105 C*

*В зависимости от типа памяти

Компоненты

Вся продукция с логотипом GOODRAM изготовлена с использованием высококачественных материалов, а в процессе производства используются исключительно сертифицированные компоненты. Установленное в 2008 году сотрудничество с компанией TOSHIBA состоит не только к поставках нам высококачественных компонентов, но и в возможности использования самых современных технологических решений.

Группа компонентов включает в себя широкий спектр электронной памяти, предназначенной для монтажа на печатной схеме устройств. В состав группы входит также память SRAM, DRAM, EEPROM, FLASH, MCP, eMMC таких мировых производителей как Toshiba, Micron, Samsung. Широкий выбор типа памяти охватывает практически все популярные коммуникационные интерфейсы, типы корпуса и приложения. Компоненты делятся на предназначенные для коммерческих приложений и для промышленных приложений. Такое деление напрямую связано с диапазоном рабочих температур и температур хранения компонентов.