Pamięci Flash i komponenty

Pamięć Flash

Pamięć Flash to rodzaj pamięci, która umożliwia zapisywanie lub kasowania danych w trakcie jednej operacji programowania. To także pamięć nieulotna, która po odłączeniu od zasilania nie traci zapisanych na niej danych. Twórcą pamięci Flash jest japońska firma Toshiba. To innowacyjne rozwiązanie zaprojektowano przez specjalnie powołany zespół specjalistów, kierowany przez  dr Fujio Masuoka w 1984 roku.

Wyróżniamy dwa typy pamięci:

  • pamięć flash typu NOR
  • pamięć flash typu NAND

Pamięć flash typu NOR umożliwia bezpośredni dostęp do każdej komórki pamięci, ale ma stosunkowo długie czasy zapisu i kasowania. Jej głównym przeznaczeniem jest przechowywanie danych, które nie wymagają częstej aktualizacji. Pamięć NOR posiada od 10 do 100 tys. cykli programowania. Pamięć ta znalazła zastosowanie w pierwszych kartach pamięci CompactFlash. W późniejszym okresie zastąpiono ją tańszymi pamięciami flash typu NAND.

Cechy pamięci NOR:

  • napięcie zasilania 1,7-5 V*
  • interfejs: synchroniczny lub równoległy*
  • czas dostępu: od 45 ns*
  • pojemność do 2 Gb*
  • zakres temperatur pracy: -40°C do +105°C*
  • szerokość magistrali danych: 1/8/16 bit*
  • typy obudowy: TSOP, BGA, TBGA*

*Zależne od typu pamięci

Pamięć flash typu NAND, ma znacznie krótszy czas zapisu i kasowania oraz większą gęstość upakowania danych w stosunku do pamięci typu NOR. Charakteryzuje się także korzystniejszym stosunkiem kosztu do pojemności oraz dziesięciokrotnie większą trwałością. Najważniejszą cechą pamięci NAND jest sekwencyjny dostęp do danych. Pierwszą kartą pamięci opartą na pamięci flash typu NAND, była karta Smart Media. Później zaczęto ich używać także w innych typach kart pamięciowych, , Secure Digital, Memory Stick i xD Picture Card. Pamięci NAND stosowane są także w pamięciach USB. 

Cechy pamięci NAND:

  • pamięć flash typu NOR
  • pamięć flash typu NAND
  • napięcie zasilania 1,8, 3,3 V*
  • typy: SLC, MLC, TLC
  • interfejs: równoległy asynchroniczny/synchroniczny, na specjalne zamówienie szeregowy*
  • szerokość magistrali danych: 1/8/16 bit*
  • pojemność do 1 Tb*
  • typy obudowy: TSOP, BGA, TBGA*
  • zakres temperatur pracy: -40°C do +105°C*

*Zależne od typu pamięci

 

Komponenty

Wszystkie produkty sygnowane logo GOODRAM zbudowane są z materiałów najwyższej jakości, a w procesie produkcji wykorzystujemy wyłącznie kwalifikowane komponenty. Nawiązanie w 2008 r. współpracy z firmą TOSHIBA opiera się nie tylko na dostarczaniu nam wysokiej jakości komponentów, ale także na możliwości korzystania z najnowocześniejszych rozwiązań technologicznych.

W grupie komponentów znajduje się szeroka gama pamięci elektronicznych przeznaczonych do montażu na obwodzie drukowanym urządzeń. W skład grupy wchodzą pamięci SRAM, DRAM, EEPROM, FLASH, MCP, eMMC światowych producentów jak: Toshiba, Micron, Samsung. Szeroki wybór typu pamięci zapewnia pokrycie niemal wszystkich popularnych interfejsów komunikacyjnych, typów obudowy a przez to zastosowań. Komponenty dzielą się na te przeznaczone do zastosowań komercyjnych a także przemysłowych- ma to bezpośredni związek z różnym zakresem temperatur pracy i przechowywania komponentów.